关于交叉时间Cross Over Time

MOSFET的开关特性
MOSFET电感负载开关特性的测试电路如图9 。

TC.1.jpg

Fig. 9: MOSFET电感负载开关特性的测试电路

MOSFET开通特性如图10所示。

TC.2.bmp

Fig. 10: MOSFET开通特性

如图10所示，当栅极驱动电压从0到VGG阶跃变化，在开通延迟时间td(on)内,栅源电压vgs从0上升到阈值电压VGS（th）的行为类似RC电路，这是由于栅极驱动回路阻抗存在着MOSFET等效输入电容（Cgs和Cgd）。
Vgs超过VGS(th),后继续上升并且Ids开始从0增加，时间常数τ1决定了该段上升时间
τ1 =RG(Cgs + Cgd1)
一旦MOSFET电流Id增至满载电流Io，栅源电压暂时钳制在 Vgs,Io 栅极电流将只流经栅漏等效输入电容Cgd。因此，漏源电压开始下降，直至达到由通态电阻确定的管压Vds,on。次后，栅源电压将不受钳制并由时间常数
τ2 =RG(Cgs + Cgd2)
确定增至VGG。
需指出，栅漏等效输入电容Cgd由于该电容的非线性性质，具有有两个值 Cgd1和 Cgd2。

[ 本帖最后由 bkkman 于 2008-11-9 16:54 编辑 ]

TC.3.bmp

Fig. 11: MOSFET关断特性

MOSFET的关断过程是以栅极电压VGG 为起点，关断过程和开通过程相反，如图11所示。

如图10和图11所示，在开通过程和关断过程中，MOSFET有数值不小的瞬时功率损耗p(t) = vDS iD，主要发生在交叉时间tc（crossover time）期间内。
因MOSFET结电容不随温度的升高而变化，开关功率损耗与MOSFET结温无关。事实上，开断功率损耗稍低于输出负载容量确定的开通功率损耗。

与MOSFET瞬时开通功率损耗有关联的通态功率损耗由下式给出：

TC_4.jpg

MOSFET通态电阻由几个部分组成，并与结温度有关。因此，通态功率损耗也与结温有关。
注意，计算MOSFET通态功率损耗的电流是有效值 。

[ 本帖最后由 bkkman 于 2008-11-9 17:03 编辑 ]

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(2008-11-09 17:04:30, Size: 247 KB, Downloads: 3)

讲的不错，大家鼓掌