转帖一款分立元件H Bridge Driver！
发布: 2008-8-29 14:20 | 作者: nomoneyiv | 来源: StmFans思蜕盟 OPELC 自由电子联盟
引述：
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本电路继承了前贴我发的那个48V驱动电路低成本、可靠的优点，将驱动烦琐的自举升压电路换成了主动升压电路，这样驱动部分的可靠性可进一步提高、也能在上桥上加PWM且PWM也能等于100%了。
下面是一些注意事项：
1）如果你的电机工作电压低于等于12V可能需要调整上桥臂晶体管的工作状态。
2）升压电容C7要使用低ESR的。
3）D5 D6如成本允许应使用快恢复型二极管如FR157。
4）C8最好使用CBB电容，成本不允许可使用独石电容。
5）主滤波电容C11 C12必须是高频低阻电容，否则纹波容易引起发烫。
6）C9 C10耐压应是电源的至少一倍。
7）注意布线！！！尤其是高频部分（参考IR的一系列布线文档）
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本电路继承了前贴我发的那个48V驱动电路低成本、可靠的优点，将驱动烦琐的自举升压电路换成了主动升压电路，这样驱动部分的可靠性可进一步提高、也能在上桥上加PWM且PWM也能等于100%了。
下面是一些注意事项：
1）如果你的电机工作电压低于等于12V可能需要调整上桥臂晶体管的工作状态。
2）升压电容C7要使用低ESR的。
3）D5 D6如成本允许应使用快恢复型二极管如FR157。
4）C8最好使用CBB电容，成本不允许可使用独石电容。
5）主滤波电容C11 C12必须是高频低阻电容，否则纹波容易引起发烫。
6）C9 C10耐压应是电源的至少一倍。
7）注意布线！！！尤其是高频部分（参考IR的一系列布线文档）
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H driver -1.png
补充一个由MCU代替555的升压电路：
MCU代替555的升压电路.png
注：
减小R20可以提高升压频率。使用上桥输出PWM时升压部分的工作频率应大于等于PWM的工作频率才能保证电压充足(有一个折中办法可以既不用提高升压频率也也能保证上桥供给电压，但由于是某公司的专利我就不在这里提及了)。另当升压频率超过10KHZ时建议将C7换成无级性电容或高频电容。
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他的那个折衷的方法是指什么呢 ？
【另】作者又说：
MCU输出占空比需为50%才能保证电荷泵最佳升压效率。
如上桥不加PWM则MCU输出升压频率5KHZ足矣；上桥加PWM则MCU输出升压频率需至少为PWM频率。
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为什么：MCU输出占空比需为50%才能保证电荷泵最佳升压效率 ？
自举升压是能量转移,自举升压下端管关闭后用换路定律分析.
假如上电时,让它激自举升压电路先工作,桥驱动信号延迟一段时间才工作,可靠性更高.
要注意Q2-Q5承受Vs+自举升压值.
电容C8耐压要求也高了.
桥自举升压是浮动升压,负极电位是浮动的,故耐压不要求高;
二极管用1N4148耐压不够.
R2的位置不对,当Q7没绝对关闭,Q2导通,Q15BE结将承受较高反压,这情况会发生在器件参数老化变移时.
[ 本帖最后由 bkkman 于 2008-12-28 21:45 编辑 ]
原理应该是对的。
但是使用的器件不对，电压也不对。
需要需要这个修改元器件和参数才能正常工作。